はじめに

パワー半導体SiCの研磨技術の動向

SiCウェハおよびそれを用いたパワーデバイスの飛躍的な普及には、ウェハ加工技術の高度化が要求されることは論を待たない。とりわけ、最終研磨工程に用いられるChemical mechanical polishing（CMP）では、SiCに対して十分な加工速度が得られておらずSiに比べウェハ価格が高い要因の一つとなっている。SiCは硬度が高いことに加えて、高い化学的安定性を有する。すなわち、常温・常圧においてSiCをエッチングあるいは表面改質しうる化合物（薬液）がなく、これがCMPにおける低い加工速度の原因とされる。そこで、研磨スラリーに対して強力な酸化剤を添加することで、CMPの加工速度向上が試みられている。例えば、酸化剤としてKMnO₄を用いたCMPスラリーが上市されている。しかし、このような強力な酸化剤の使用は樹脂からなる研磨パッドの耐久性を著しく悪化させるほか、研磨機の腐食も無視できない。また、廃液処理の観点からも環境負荷が高いといえる。