キーワード: 特集 物理化学ナノ製造プロセスの最前線
単結晶ダイヤモンド基板のドライ/ウエット加工法
No.1259, https://www.jsme.or.jp/kaisi/1259-26/
はじめに ダイヤモンドは、高硬度かつ化学的に安定であることから、切削工具や超硬合金金型の代替型などをはじめ、さまざまな分野で用いられている(1)。最近になって、パワー半導体デバイスの開発を目的とした単結晶ダイヤモンド基板の研究・開発が精力的に行われはじめている(2)〜(5)。これ…Read More
レーザ照射を援用した高能率CMP(Chemical Mechanical Polishing)
No.1259, https://www.jsme.or.jp/kaisi/1259-30/
はじめに 半導体製造に不可欠なCMPとパワーデバイス材料 半導体デバイス製造において必要不可欠なプロセスとして、研磨プロセスの一種であるCMP(Chemical Mechanical Polishing)が適用される。CMPは、化学反応を援用して対象基板の表層を改質し、機械的研磨…Read More
「ナノ製造プロセスの最前線」特集によせて
No.1259, https://www.jsme.or.jp/kaisi/1259-06/
はじめに ナノ製造プロセスの理念 加工とは、目的とする機能を発現させるために、設計した通りの形状、あるいは物性を有する表面を創成することである。われわれ人類は、いかに便利で快適な生活ができるかという思いのもとに、多種多様な生産活動を行って発展し続けてきたわけであるが、その発展は加…Read More
プラズマ/電気化学プロセスを援用したナノ精度の形状加工と難加工材料のダメージフリー研磨
No.1259, https://www.jsme.or.jp/kaisi/1259-08/
はじめに ナノ製造プロセスによるものづくりの革新 SiC、GaN、ダイヤモンドなどのワイドギャップ半導体は低炭素社会を実現する上で切り札となる高性能省電力パワーデバイス用の材料として注目されている。これらの材料はいずれも硬脆かつ化学的にも不活性であることから難研磨材料として認識さ…Read More
触媒表面を基準面とした光学材料、半導体材料表面の超平滑化エッチング法
No.1259, https://www.jsme.or.jp/kaisi/1259-14/
はじめに ラッピングのような定盤を用いた砥粒加工においては、被加工物表面の凸部から選択的に除去加工が進行することで能率的に定盤の形状を転写することができるが、砥粒による機械的な加工によって表面の原子配列は乱れ、いわゆる加工変質層が残留する。一方、ウェットエッチングなどの化学反応を…Read More
電解液を用いない環境調和型電気化学機械研磨
No.1259, https://www.jsme.or.jp/kaisi/1259-18/
はじめに パワー半導体SiCの研磨技術の動向 SiCウェハおよびそれを用いたパワーデバイスの飛躍的な普及には、ウェハ加工技術の高度化が要求されることは論を待たない。とりわけ、最終研磨工程に用いられるChemical mechanical polishing(CMP)では、SiCに…Read More
アクリル板と水による原子レベル平坦化加工法
No.1259, https://www.jsme.or.jp/kaisi/1259-22/
はじめに 半導体材料や光学材料を素子として用いる場合、その表面の平坦化は欠かせない。CeO2やSiO2などの金属酸化物を含むスラリーをかけながら柔らかい研磨パットを表面に押し付け加工を行うことが一般的である。 一方で、微粒子と薬品を含むスラリーによる研磨技術は、環境負荷が高いとい…Read More