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X線を光源とする高集積回路パターン作成のための露光技術．X線を透過する支持膜（メンブレン）上に，X線吸収材料でパターン形成を行ったマスクと，レジストを塗布したウェーハとを接近して配置し，マスクを通してX線を照射することによりほぼ等倍で露光する．X線源としては電子線励起型，レーザプラズマ型，シンクロトロン型などのタイプが多く用いられる．X線波長が0.1～100nmと従来のステッパ用光源よりもはるかに短いので次世代の高集積デバイス用露光技術として注目されている．
