基板に1原子層ずつ堆積させる成膜技術でCVDの一種．基板を設置した反応路内に2種類以上の原料ガスを交互に導入，排気し，反応させて成膜する．それぞれの原料ガスが基板に吸着し，基板の表面が原料で埋められるとそれ以上の吸着は起きないため1原子層ずつ堆積させることができる．