レーザ照射によりシリコンやGaAs基板の表面を瞬間的に加熱して不純物を拡散させる方法．エキシマレーザを用い，局部・微細領域へ選択的に高い表面濃度で不純物のドープが可能．高濃度でもキャリヤ活性率を高くできる．