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cvd [2025/02/10 13:47] – 作成 mnm08cvd [2025/02/10 13:49] (現在) mnm08
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-気相化学反応を利用した成膜技術反応方法により熱CVDプラズマCVD等がある基板を設置した反応路に原料ガスとキャリアガスを導入し熱やプラズマ等のエネルギーを与えて原料ガスを分解し成膜する原料にガスを用いることにより凹凸がある基板にも均質な膜を成膜できるという特徴がある+気相化学反応を利用した成膜技術反応方法により熱CVDプラズマCVD等がある基板を設置した反応路に原料ガスとキャリアガスを導入し熱やプラズマ等のエネルギーを与えて原料ガスを分解し成膜する原料にガスを用いることにより凹凸がある基板にも均質な膜を成膜できるという特徴がある
  
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cvd.txt · 最終更新: 2025/02/10 13:49 by mnm08