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CMP (Chemical Mechanical Polishing；化学機械研磨)とは，研磨液（スラリー）もしくは砥粒自体による化学的な作用によって，機械的研磨の性能を向上する技術である．機械的な研磨に対して，単に材料除去効率や仕上げ面品位を向上するだけでなく，微細凹凸や複数の素材からなる研磨対象物表面を平坦化する技術としても利用することができる．特に，半導体製造におけるウェハの製造工程や，半導体デバイス製造における平坦化工程および配線工程などで多用される．
